ТЕХНІЧНА МЕХАНІКА
ISSN 1561-9184 (друкована версія), ISSN 2616-6380 (електронна версія)

ГОЛОВНА    ПРО ЖУРНАЛ    РЕДКОЛЕГІЯ    АВТОРАМ    ПОТОЧНИЙ ВИПУСК    АРХІВ    КОНТАКТИ

УДК 621.002.56

Технічна механіка, 2017, 4, 96 - 111

РОЗРОБКА ПЛАЗМОВИХ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРИСТРОЇВ ДЛЯ КОМБІНОВАНОЇ ТЕХНОЛОГІЇ ЗМІЦНЕННЯ ДЕТАЛЕЙ

О. Д. Гришкевич, С. І. Гринюк

О. Д. Гришкевич
Інститут технічної механіки Національної академії наук України і Державного космічного агентства України
Україна

С. І. Гринюк
Інститут технічної механіки Національної академії наук України і Державного космічного агентства України
Україна

      Метою роботи є розробка плазмових технологічних пристроїв і їх комбінацій для використання в технологічній установці, що призначена для проведення комбінованого технологічного процесу зміцнення робочих поверхонь металевих деталей. При розробці технологічної установки дотримувались вимоги відповідності всіх її складових критеріям прогресивності при умові компонування технологічних пристроїв в межах робочої камери стандартної вакуумної установки. Розглянуто особливості конструкції і функціонування технологічних плазмових пристроїв, які побудовані на використанні фізичних ефектів взаємодії концентрованих потоків енергії з поверхнею. Для проведення іонно-променевої і іонно-плазмової обробки внутрішніх і зовнішніх поверхонь деталей розроблено, виготовлено і випробувано декілька моделей автономних іонних джерел і магнетронних розпилюючих систем. Розглянуто особливості функціонування і практичного використання різних конструктивних схем побудови вакуумно-плазмової установки для обробки деталей різних конфігурацій. Вироблено рекомендації щодо оптимального складу технологічних пристроїв і конструктивних схем вакуумно-плазмової установки для проведення комбінованої обробки деталей з внутрішніми і зовнішніми робочими поверхнями.

комбінована технологія, іонно-плазмова технологія, іонно-променева технологія, магнетронна система, що розпиляє, прискорювач із анодним шаром

1. Гришкевич А. Д. Разработка комбинированной технологии упрочнения деталей. Техническая механика. 2017. № 3. С. 100–114.

2. Баранов О. О., Саночкин Ю. В. Теория разряда с замкнутым дрейфом электронов. Журнал технической физики, 1974. N 12. С. 2501–2516.

3. Морозов А. И. Введение в плазмодинамику. М.: Физматлит, 2006. 576 с.

4. Плешивцев Н. В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968. 340 с.

5. Бериш Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. М.: Мир. 1984. 336 с.

6. Габович М. Д. Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972. 304 с.

7. Данилин Б. С. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.

8. Кузьмичев А. И. Магнетронные распылительные системы. Киев: Аверс, 2008. 244 с.

9. Kouznetsov V., Masak R., Schneider J. M. Ytlmersson U. Petrov I. A novel рulsed magnetrоn sputter technique utilizing very high target paver densites. Surface and Coating Technology. 1999. № 2 – 3. P. 290–293.

10. Мозгрин Д. В. Экспериментальное исследование сильноточных форм квазистационарного разряда низкого давления в магнитном поле. Физика плазмы. 1995. № 5. С. 422–433. 11. Levchuk D. Plasma assisted techniques for deposition of super hard nanocomposite coatings. Surface and Coating Technology. 2007. № 2007. P. 6071–6077.

12. Musil J., Suna J. The role of energy in formation of sputtered nanocomposite films. Mater. Scien. Forum. – 2005. V. 502. P. 291–296.

13. Window B. Savvides N. Unbalanced magnetrons as sources of high ion fluxes. J. Vac. Sci. Tecnol A. 1986. № 3. P. 453–465.

14. Гришкевич А. Д., Гринюк С. И. Исследование характеристик несбалансированности планарной магнетронной распылительной системы. Проблемы высокотемпературной техники. 2012. С. 45–52.

15. Жаринов А. В., Попов Ю. С. Об ускорении плазмы замкнутым Холловским током. Журнал технической физики. 1957. № 2. С. 63–70.

16. Гаркуша В. И., Лесков Л. В., Ляпин Е. А. Плазменные ускорители с анодным слоем. М.: Наука. 1984. С. 129–138.

17. Виноградов М. И., Маишев Ю. П. Вакуумные процессы и оборудование ионно- и электроннолучевой технологии. М.: Машиностроение, 1989. 53 с.

18. Zhurin V. V. Industrial Ion Sources: Broadbeam Gridless Ion Source Technology. Published 2012 by Wiley- VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. Р. 311.

19. Ионные источники с замкнутым дрейфом электронов. URL: http;// www.pronica/ru.htm/

20. Духопельников Д. В., Юрченко А. А. Экспериментальное исследование технологического ускорителя с анодным слоем. Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Машиностроение. 2004. № 3. С. 74–83.

21. Гончаров А. А., Добровольский А. Н., Павлов С. Н. Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов. Проблемы атомной науки и технологии. Серия физика. 2000. № 6. С. 160–163.

22. Гришкевич А. Д., Хитько А. В. Использование плазменного источника электронов в магнетронной системе ионного распыления. Проблемы высокотемпературной техники. 2011. С. 42–45.

23. Bizyukov A. A., Girka A. I., Sereda K. N. at all Hall ion source with ballistic and magnetic beam focusing. Hrjdlems of atomic science and technology. 2008. № 6. P. 174–176.

24. Марахтанов М. К., Духопельников Д. В., Ивахненко Д. В. Электронный научно-технический журнал МГТУ им. Н. Э. Баумана. С. 219 – 232. URL: http://www technomag.doc/edu/ru/doc/483944.html.

25. Морозов А. И. Фокусировка холодных квазинейтральных пучков в электромагнитных полях. ДАН СССР. 1965. № 6. С. 1363–1373.

26. Габович М. Д., Плешивцев Н. В. Семашко Н. Н. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. М.: Энергоатомиздат, 1986. 248 с.

27. Патент на корисну модель Україна № 38845U, МПК6 С23С14/00. Плазмовий пристрій. Заявл. 01.07.2008. Опубл. 26.01.2009, Бюл. № 1, 4 с.

28. Берлин Е. В., Сейдман Л. А. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии. М.: Техносфера, 2011. 528 с.

29. Гришкевич А. Д., Гринюк С. И., Коваленко В.В., Кучугурный Ю. П., Технологические плазменные устройства на основе разряда с замкнутым дрейфом электронов. Разработка и применение. Техническая механика. 2013. № 4. С. 43–57.

30. Рогов А. В, Капустин Ю. В., Мартыненко Ю. В. Факторы, определяющие эффективность магнетронного распыления. Журнал технической физики. 2015. № 85, С. 126–134.

31. Патент на корисну модель Україна № 93471: МПК6 С23С 14/00. Іонно-плазмова установка. Заявл. 11.05.2010. Опубл 10.02.2011, 3 с.

32. Патент на корисну модель Україна № 89038. МПК6 С23С 14/00. Іонно-плазмовий пристрій інтегрованого типу для обробки внутрішніх поверхонь. Заявл. 28.10.2013. Опубл. 10.04.2014, Бюл. № 7, 4 с.

33. Сватковский И. В. Направления развития магнетронных распылительных систем. Минск: Доклады БГУИР. 2007. № 2(18). С. 112–121.

34. Патент на корисну модель Украина №102744, МПК6 С23С14/00. Несбалансована цилиндрична магнетронна розпилююча система. Заявл. 28.10.2013. Опубл. 25.11.2015, Бюл. № 22, 5 с.

Copyright (©) 2017 О. Д. Гришкевич, С. І. Гринюк

Copyright © 2014-2018 Технічна механіка